Всю область ультрафиолета принято делить на"ближний" ультрафиолет
(длина волны 300...400 нм) и "дальний" ультрафиолет(200...300 нм). Специалисты из научно-исследовательской лаборатории японской корпорации NTT изготовили на основе нитрида алюминия (АIN) полупроводниковый лазер с длиной волны 21- нм. Свет такой длины волны до сих пор получали с помощью ртутных ламп и газовых лазеров, размеры которых ограничивали практическое их применение.
Самые "коротковолновые" полупроводниковые лазеры изготавливали из нитрида галлия (GaN). Они могли генерировать ультрафиолетовые лучи с длиной волны 365 нм.
Результаты работ японских специалистов позволяют ожидать, что появятся полупроводниковые лазерные излучатели, перекрывающие всю область "дальнего" ультрафиолета. Следует заметить , что электромагнитное излучение с длиной волны короче 200 нм мало пригоден для практического применения на Земле.
Следует заметить, что чем меньше длина волны ультрафиолетового излучения, тем лучше его обеззараживающее действие , и замена совсем не безопасных ртутных ламп, используемых для эти целей , уже может дать большой положительный эффект. Но появление таких "коротковолновых" полупроводниковых лазеров очень важно и для электронных нанотехнологий , а также для многих других практическеих применений. Например, их использование позволит повысить емкость DVD дисков примерно в три раза.
Главная